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福建电池片 和谐共赢 铭丰庆五金制品供应

上传时间:2023-06-27 浏览次数:
文章摘要:    湿法刻蚀工艺流程:上片→蚀刻槽(H2SO4HNO3HF)→水洗→碱槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反应氧化生成SiO2,HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒

    湿法刻蚀工艺流程:上片→蚀刻槽(H2SO4HNO3HF)→水洗→碱槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反应氧化生成SiO2,HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面,使电池片变得光滑;碱槽的主要溶液为KOH;H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来,并不参与反应。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时,一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强,选择合适的气体,就可以让硅片更快速的进行反应,实现刻蚀;另一方面,可利用电场对等离子体进行引导和加速,使等离子体具有一定能量,福建电池片,当轰击硅片的表面时,福建电池片,硅片材料的原子击出,可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。PECVD等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率高达35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收,有助于提高光生电流,进而提高转换效率:另一方面,薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率,减小暗电流,提升开路电压,提高光电转换效率,福建电池片。H能与硅中的缺陷或杂质进行反应,从而将禁带中的能带转入价带或者导带。在真空环境下及480摄氏度的温度下,通过对石墨舟的导电。使硅片的表面镀上一层SixNy薄膜。

     未来10年晶体硅太阳能电池所占份额尽管会因薄膜太阳能电池的发展等原因而下降,其主导地位仍不会根本改变。福建电池片

    P2O5在扩散温度下与硅反应,生成二氧化硅和磷原子。生成的P2O5淀积在硅片表面与硅继续反应生成SiO2和磷原子,并在硅片表面形成磷-硅玻璃(PSG),磷原子向硅中扩散,制得N型半导体。刻蚀在扩散工序,采用背靠背的单面扩散方式,硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射,P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面,造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净,避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。湿法刻蚀工艺流程:上片→蚀刻槽(H2SO4HNO3HF)→水洗→碱槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反应氧化生成SiO2,HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面,使电池片变得光滑;碱槽的主要溶液为KOH;H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来,并不参与反应。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时,一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强,选择合适的气体,就可以让硅片更快速的进行反应,实现刻蚀;另一方面,可利用电场对等离子体进行引导和加速,使等离子体具有一定能量,当轰击硅片的表面时,硅片材料的原子击出。

  北京定制电池片为了降低生产成本,现在地面应用的太阳能电池等采用太阳能级的单晶硅棒,材料性能指标有所放宽。

    电池片产品的生命力或会凋零,但积蓄的技术底蕴会成为企业无可替代的竞争力。在不可预知的技术浪潮里,投资者关注热点题材的同时,要提防过度乐观的情绪色彩,理性看待,应聚焦于企业穿越一次次光伏而沉淀下的判断力和行动力。电池片一般分为单晶硅、多晶硅、和非晶硅单晶硅太阳能电池是当前开发得快的一种太阳能电池,它的构造和生产工艺已定型,产品已用于空间和地面。这种太阳能电池以高纯的单晶硅棒为原料。为了降低生产成本,地面应用的太阳能电池等采用太阳能级的单晶硅棒,材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料,经过复拉制成太阳能电池的单晶硅棒。电池片工艺流程制绒(INTE)--扩散(1DIF)---后清洗(刻边/去PSG)----镀减反射膜PECVD----丝网、烧结。(PRINTER)---测试、分选(TESTER+SORER----包装(PACKING)。1、制绒制绒的目的是在硅片表面形成绒面面,以减少电池片的反射率,绒面凹凸不平可以增加二次反射,改变光程及入射方式。通常情况下用碱处理单晶,可以得到金字塔状绒面;用酸处理多晶,可以得到虫孔状无规则绒面。处理方式区别主要在与单多晶性质的区别。

    

    太阳能光伏发电一般指能利用半导体直接将光能转换为电能的一种能源形式。晶硅类太阳能电池是普遍的一种形式,太阳能电池起源于1839年,法国贝克勒尔是首先个发现了液态电解质的光生伏特现象的科学家。其一般构造如图所示,在基体硅中渗入棚原子以后,便会产生空穴。同理,在基体硅中掺入磷原子以后,由于磷原子相比于硅原子,其外层是具有五个电子的特殊结构,相比于硅原子的四电子结构就会有多出来的一个电子变得非常活跃,叫做N型半导体。晶体硅太阳能电池片主要是用硅半导体材料作为基体制成较大面积的平面PN结,即在规格大约为15cm×15cm的P型硅片上经扩散炉扩散磷原子,扩散出一层很薄的经过重掺杂的N型层。然后经刻蚀到达PECVD在整个N型层表面上镀上一层减反射膜用来减少太阳光的反射损失,达到丝网在扩散面印刷上金属栅线作为太阳能电池片的正面接触电极。在刻蚀面印刷金属膜,作为太阳能电池片的背面欧姆接触电极,并烧结封装。 整体发白或发灰,归结为NaOH浓度不够;适当增加NaOH或延长制绒时间。

    1一次清洗与二次清洗的酸液不干净,检查酸液使用的次数有没挥发等2扩散与镀膜前硅片表面带有较脏的水印3在制绒后硅片表面的硅酸钠没能得到很好的去除就会留下不规则的胶体印,到成品后是水纹;这只要我们在制绒后及时进行酸洗,也可提高HF的浓度.如果制绒液的配比没有问题,那么花斑白斑和制绒前的硅片表面质量就显得尤其重要了。原始的解决方法是用强碱来粗剥一下,但随着原材料变薄也可用低一些的浓度与IPA的混合溶液来处理,一般5~6分钟即可;6溶液均匀的方法1超声,缺点是容易造成碎片,即使没有在槽中碎,后道工序也会碎;2循环,使用chemicalpump;3搅拌;4鼓泡;7制绒出现的问题花脸;雨点状斑点;发白;8雨点状斑点问题没写9酒精和IPA1酒精较难控制,无毒,污染小;2IPA做的绒面的均匀性比酒精要好控制的多;10多晶硅一次清洗工艺流程这个省了11制备绒面技术方法1机械刻槽要求硅片厚度大于200um,刻槽深度一般为50um,增加材料成本2等离子蚀刻成本高,耗时长,产量低3激光刻槽绒面的陷光效果好,但处理工序复杂,加工系统昂贵4各向同性的酸腐蚀12酸腐蚀制备绒面的基本原理以HF-HNO3为基础的水溶液体系机理为HNO3给硅表面提供空穴,打破了硅表面的Si2H键。

   单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右,实验室成果也有20%以上的。福建电池片

如果制绒液的配比没有问题,那么花斑白斑和制绒前的硅片表面质量就显得尤其重要了。福建电池片

    检查涂层在喷涂坩埚侧壁的过程中需用挡板遮住坩埚底部,约为侧壁3/4的地方。喷涂和刷涂过程中要均匀使液体凝聚,涂层必须满足均匀、无气泡、无脱落、无裂缝等条件方为合格。坩埚焙烧将喷好的坩埚放入烘箱内,开始坩埚焙烧,整个过程大概需要30~40小时,先快速升温至设定温度,保持几小时后,自然冷却至合适温度,再开盖冷却。值得注意的是,坩埚喷涂车间需要保持一定的温度,温度较低环境需在配比涂层时对纯水加热。原料的杂质浓度会影响铸锭炉的化料时间,铸锭炉在长晶等阶段出现异常,此时铸锭时间可能较一般工艺时间长2-4个小时,底部氮化硅的量太少会导致无法顺利脱模,硅锭底部开裂。而过量的氮化硅会覆盖住石英砂,从而导致引晶效果不明显,因此要在铸锭中做出适当的调整。多晶硅工序1、备料对多晶硅的原硅料和回收料使用PN测试仪和电阻率进行分档分类,直到达到配比质量,计算出需要的掺杂剂质量。硅料的种类大致有多晶原硅料、多晶碳头硅料、多晶硅锭回收的硅料、单晶棒或单晶头、尾料、单晶锅底料、单晶碎硅片、其他半导体工业的下脚料等。2、装料装料时操作工戴上PVC手套和防护服,轻拿轻放防止氮化硅涂层被破坏。

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